1. 英特爾將獲美國35億美元芯片補貼

美國國會助理表示，美國政府計劃對英特爾補貼35億美元，以生產軍用先進半導體，該預算編列在當?shù)貢r間3月6日通過的一項快速支出法案中。

這筆資金為期三年，用于支持所謂“安全飛地（secure enclave）”的計劃。計劃的資金來自總金額390億美元的《芯片和科學法案》。芯片法案立法的宗旨是鼓勵芯片制造商在美國生產半導體，目前已有600多家公司表明希望獲得補助。2023年11月有報道稱，英特爾正協(xié)商就“安全飛地”的計劃爭取30億至40億美元的補貼。另有報道稱，英特爾有望從芯片法案拿到超過100億美元的現(xiàn)金和貸款補助。

2. 美光將首先采用佳能納米壓印光刻機，降低DRAM生產成本

美國存儲廠商美光計劃首先采用日本佳能的納米壓印（NIL）光刻機，希望借此進一步降低生產DRAM存儲器的成本。美光日前舉辦演講，介紹納米壓印技術用于DRAM生產的細節(jié)。美光闡述了DRAM制程和浸潤式曝光解析度的問題，通過Chop層數(shù)不斷增加，必須增加更多曝光步驟，以取出密集存儲陣列周圍的虛置結構。

由于光學系統(tǒng)特性，DRAM層圖案很難用光學曝光圖案，納米壓印可實現(xiàn)更精細的圖案，且成本是浸潤式光刻的20%，成為較佳的解決方案。但納米壓印并不能在存儲器生產所有階段取代傳統(tǒng)光刻，兩者并非純粹競爭關系，但至少可以降低部分技術操作成本。佳能于2023年10月推出新型FPA-1200NZ2C納米壓印光刻機，可將電路圖案直接印在晶圓上，佳能強調了該設備的低成本和低功耗，其前景成為行業(yè)爭論的話題。

3. 傳三星與應用材料合作簡化EUV光刻技術

消息稱三星電子正在與應用材料公司合作，希望減少極紫外（EUV）工藝步驟的數(shù)量，如果成功，將有助于降低半導體生產成本。韓國業(yè)界表示，隨著越來越多的公司采用EUV工藝，預計許多公司將開始投資減少EUV工藝步驟的技術。

業(yè)內消息人士稱，三星正在嘗試與應用材料公司合作，以減少4nm的工藝步驟數(shù)量。這將主要通過應用材料的“Centura Sculpta”圖案化系統(tǒng)來實現(xiàn)，該系統(tǒng)于2023年開發(fā)，旨在減少EUV工藝步驟。Centura Sculpta是一種圖案成型系統(tǒng)，可幫助客戶減少光刻時間。應用材料在2023年2月表示，光刻技術正變得越來越復雜和昂貴，新技術方法可以簡化芯片生產流程，同時減少浪費和環(huán)境影響。應用材料聲稱，Centura Sculpta可以將每片晶圓的生產成本降低50美元以上。

4. 高塔半導體回應工廠停工：仍將按計劃履行晶圓交付承諾

近日媒體報道稱，在行業(yè)放緩的情況下，高塔半導體計劃對其美國紐波特海灘市（Newport Beach）的大部分業(yè)務進行為期三周的停工，此舉將使近700名員工休假。高塔半導體確認將于4月1日至7日關閉其大部分業(yè)務，并計劃在7月1日至7日和10月7日至13日關閉更多業(yè)務。

對此，高塔半導體發(fā)布聲明指出，Tower Newport Beach工廠計劃在 4 月 1 日至 4 月 7 日期間進行維護，晶圓上線計劃和生產在此期間會受限制。因為這是一次計劃中的正常維護，我們仍將按計劃履行晶圓交付承諾。Tape out工作將繼續(xù)進行，不會中斷。