瞻芯電子

瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。

據(jù)介紹，瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發(fā)的，自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來，至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，對比上一代產(chǎn)品，通過優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%，能進(jìn)一步降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率。

這次瞻芯電子推出的三款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅(qū)動電壓尖峰。主要適用于電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器、車載DC-DC、OBC、開關(guān)電源等應(yīng)用。

蓉矽半導(dǎo)體

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。

這款SiC MOSFET電壓等級為1200V，在AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，同時對于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應(yīng)用場景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。