全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技今日正式發(fā)布首款企業(yè)級PCIe Gen4 M.2 2280固態(tài)硬盤 – IM2P41B8 基于112層3D eTLC（Enterprise Triple – Level Cell）閃存技術(shù)，以低延遲、大容量及高DWPD三大性能優(yōu)勢，鎖定AI邊緣應(yīng)用與高性能計算的高階市場。

威剛IM2P41B8 M.2 2280固態(tài)硬盤采用鎧俠的112層3D eTLC閃存顆粒，具備480GB 至1.92TB高容量選擇，支持PCIe Gen4x4高速傳輸接口和NVMe 1.4標(biāo)準；具有標(biāo)準極致的8通道、高達7000/6200 MB/s的讀寫速度；搭載DRAM Buffer與SLC Cache緩存技術(shù)以提高隨機讀寫性能，最高隨機4K讀取/寫入可達250K/190K IOPS，實現(xiàn)更流暢的實時數(shù)據(jù)分析。

此款PCIe Gen4x4 SSD的效能較前一代PCIe 3.0呈現(xiàn)雙倍增長，且在威剛獨立研發(fā)團隊的軟硬整合技術(shù)加持下，PCIe 4.0固態(tài)硬盤搭載Over-Provisioning技術(shù)，不僅具備強大的性能優(yōu)勢，寫入壽命更是直達1.8 DWPD（每日全盤寫入1.8次），擦/寫次數(shù) (P/E Cycle)從原本3K次推升至7K次。

兼具高性能的同時，極大平衡了容量與壽命的雙重需求，充分發(fā)揮3D eTLC最高效能與耐用性，迎接AI邊緣計算海量數(shù)據(jù)、高效計算的智能應(yīng)用市場需求。

搭載DRAM Buffer與SLC Cache緩存技術(shù)以提高隨機讀寫性能，最高隨機4K讀取/寫入可達250K/190K IOPS，實現(xiàn)更流暢的實時數(shù)據(jù)分析。