全新高壓aMOS5?進(jìn)一步升級，可滿足太陽能/ESS 應(yīng)用中 LLC、PSFB 轉(zhuǎn)換器以及 H-4 和Cyclo逆變器的高效率需求

日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL) 推出兩款 aMOS5? 600V FRD 超結(jié) MOSFET。 aMOS5? 是 AOS 經(jīng)過市場和應(yīng)用驗(yàn)證的高壓 MOSFET 平臺，旨在滿足服務(wù)器、工作站、電信整流器、太陽能逆變器、電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電力應(yīng)用的高效率和高密度需求。

現(xiàn)如今中高功率開關(guān)模式電源應(yīng)用 (SMPS) 和太陽能逆變器系統(tǒng)的設(shè)計(jì)面臨著四大挑戰(zhàn)：更高的效率、更高的密度、更低的系統(tǒng)成本和更強(qiáng)的穩(wěn)健性。 高壓超結(jié) MOSFET 是單相、交錯(cuò)、雙升壓、CrCM TP PFC、LLC、PSFB、多級 NPC/ANPC 等拓?fù)涞闹饕x擇。

強(qiáng)大的體二極管特性可以完美勝任這一應(yīng)用場景，進(jìn)一步提高系統(tǒng)可靠性。本次發(fā)布的兩款產(chǎn)品 AOK095A60FD (TO-247封裝) 和 AOTF125A60FDL (TO-220F封裝) 最大導(dǎo)通電阻分別為 95mohm 和 125mohm。 經(jīng)過工程師們實(shí)驗(yàn)論證：這兩款快恢復(fù)體二極管在高達(dá) 150°C 的結(jié)溫下，都能夠承受高 di/dt的挑戰(zhàn)。 此外，實(shí)驗(yàn)測試說明，aMOS5?FRD MOSFET 方案的關(guān)斷損耗(Eoff) 明顯低于競爭對手，這有助于在輕負(fù)載或中負(fù)載條件下提高系統(tǒng)效率。